0 0 0
  8. APT35GA90BD15

Транзистори IGBT THT APT35GA90BD15

 
APT35GA90BD15
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418054
Транзистор: IGBT; PT; 900В; 35А; 290Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
709.21 грн
3+
493.57 грн
6+
466.42 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напруги колектор-емітер
900В(1440903)
Напруга затвор - емітер
±30В(1645199)
Струм колектора
35А(1500592)
Струм колектора в імпульсі
105А(1694421)
Час ввімкнення
25нс(1441683)
Час вимкнення
298нс(1694422)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
290Вт(1702088)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
84нКл(1479022)
Технологія
POWER MOS 8®(1694308) PT(1746896)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g
 
Транзистори IGBT THT APT35GA90BD15
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418054
Транзистор: IGBT; PT; 900В; 35А; 290Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
709.21 грн
3+
493.57 грн
6+
466.42 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напруги колектор-емітер
900В
Напруга затвор - емітер
±30В
Струм колектора
35А
Струм колектора в імпульсі
105А
Час ввімкнення
25нс
Час вимкнення
298нс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
290Вт
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
84нКл
Технологія
POWER MOS 8®
Технологія
PT
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g