0 0 0
  8. APT35GN120L2DQ2G

Транзистори IGBT THT APT35GN120L2DQ2G

 
APT35GN120L2DQ2G
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418056
Транзистор: IGBT; Field Stop; 1,2кВ; 46А; 379Вт; TO264MAX
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 177.45 грн
2+
811.93 грн
4+
767.53 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO264MAX(1492376)
Напруги колектор-емітер
1,2кВ(1440895)
Напруга затвор - емітер
±30В(1645199)
Струм колектора
46А(1750667)
Струм колектора в імпульсі
105А(1694421)
Час ввімкнення
46нс(1441691)
Час вимкнення
465нс(1814621)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
379Вт(1741785)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
0,22мкКл(1950537)
Технологія
Field Stop(1814742)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g
 
Транзистори IGBT THT APT35GN120L2DQ2G
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418056
Транзистор: IGBT; Field Stop; 1,2кВ; 46А; 379Вт; TO264MAX
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 177.45 грн
2+
811.93 грн
4+
767.53 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO264MAX
Напруги колектор-емітер
1,2кВ
Напруга затвор - емітер
±30В
Струм колектора
46А
Струм колектора в імпульсі
105А
Час ввімкнення
46нс
Час вимкнення
465нс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
379Вт
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
0,22мкКл
Технологія
Field Stop
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g