0 0 0
  8. APT35GP120B2D2G

Транзисторы IGBT THT APT35GP120B2D2G

 
APT35GP120B2D2G
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418057
Транзистор: IGBT; PT; 1,2кВ; 46А; 543Вт; T-Max
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 453.98 грн
2+
1 374.53 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
T-Max(1694857)
Напруги колектор-емітер
1,2кВ(1440895)
Напруга затвор - емітер
±30В(1645199)
Струм колектора
46А(1750667)
Струм колектора в імпульсі
140А(1441699)
Час ввімкнення
36нс(1441737)
Час вимкнення
0,22мкс(1747764)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
543Вт(1742139)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
150нКл(1479389)
Технологія
POWER MOS 7®(1694410) PT(1746896)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g
 
Транзисторы IGBT THT APT35GP120B2D2G
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418057
Транзистор: IGBT; PT; 1,2кВ; 46А; 543Вт; T-Max
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 453.98 грн
2+
1 374.53 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
T-Max
Напруги колектор-емітер
1,2кВ
Напруга затвор - емітер
±30В
Струм колектора
46А
Струм колектора в імпульсі
140А
Час ввімкнення
36нс
Час вимкнення
0,22мкс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
543Вт
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
150нКл
Технологія
POWER MOS 7®
Технологія
PT
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g