0 0 0
  8. APT35GP120BG

Транзистори IGBT THT APT35GP120BG

 
APT35GP120BG
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418059
Транзистор: IGBT; PT; 1,2кВ; 46А; 543Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 228.20 грн
3+
1 160.80 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 29 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напруги колектор-емітер
1,2кВ(1440895)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
46А(1750667)
Струм колектора в імпульсі
140А(1441699)
Час ввімкнення
36нс(1441737)
Час вимкнення
222нс(1751571)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
543Вт(1742139)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
150нКл(1479389)
Технологія
POWER MOS 7®(1694410) PT(1746896)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,115 g
 
Транзистори IGBT THT APT35GP120BG
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418059
Транзистор: IGBT; PT; 1,2кВ; 46А; 543Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 228.20 грн
3+
1 160.80 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 29 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напруги колектор-емітер
1,2кВ
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
46А
Струм колектора в імпульсі
140А
Час ввімкнення
36нс
Час вимкнення
222нс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
543Вт
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
150нКл
Технологія
POWER MOS 7®
Технологія
PT
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,115 g