0 0 0
  7. APT35GP120J

Модули IGBT APT35GP120J

 
APT35GP120J
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 425670
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 29А; SOT227B
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 653.04 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 1 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Корпус
SOT227B(1440097)
Зворотна напруга макс.
1,2кВ(1440237)
Структура напівпровідника
одиночний транзистор(1612385)
Напруга затвор - емітер
±30В(1645199)
Струм колектора
29А(1613975)
Струм колектора в імпульсі
140А(1441699)
Електричний монтаж
пригвинчуваний(1612386)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Технологія
POWER MOS 7®(1694410) PT(1746896)
Додаткова інформація: Маса брутто: 36,43 g
 
Модули IGBT APT35GP120J
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 425670
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 29А; SOT227B
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 653.04 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 1 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Корпус
SOT227B
Зворотна напруга макс.
1,2кВ
Структура напівпровідника
одиночний транзистор
Напруга затвор - емітер
±30В
Струм колектора
29А
Струм колектора в імпульсі
140А
Електричний монтаж
пригвинчуваний
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
IGBT
Технологія
POWER MOS 7®
Технологія
PT
Додаткова інформація: Маса брутто: 36,43 g