Модули IGBT APT35GT120JU2

 
APT35GT120JU2
 
Артикул: 425672
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 55А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 882.55 грн
2+
1 780.24 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
MICROSEMI(934)
Корпус
SOT227B(1440097)
Зворотна напруга макс.
1,2кВ(1440237)
Структура напівпровідника
діод/транзистор(1612509)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
55А(1478925)
Струм колектора в імпульсі
80А(1441679)
Використання
3-фазні двигуни BLDC(1492838)
Електричний монтаж
пригвинчуваний(1612386)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Технологія
Trench(1712977) Field Stop(1814742)
Топологія
boost chopper(1712523)
Додаткова інформація: Маса брутто: 30 g
 
Модули IGBT APT35GT120JU2
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 425672
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 55А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 882.55 грн
2+
1 780.24 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Корпус
SOT227B
Зворотна напруга макс.
1,2кВ
Структура напівпровідника
діод/транзистор
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
55А
Струм колектора в імпульсі
80А
Використання
3-фазні двигуни BLDC
Електричний монтаж
пригвинчуваний
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
IGBT
Технологія
Trench
Технологія
Field Stop
Топологія
boost chopper
Додаткова інформація: Маса брутто: 30 g