0 0 0
  7. APT35GT120JU3

Модулі IGBT APT35GT120JU3

 
APT35GT120JU3
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 425673
Модуль: IGBT; діод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 35А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 894.80 грн
2+
1 791.61 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Корпус
SOT227B(1440097)
Зворотна напруга макс.
1,2кВ(1440237)
Структура напівпровідника
діод/транзистор(1612509)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
35А(1500592)
Струм колектора в імпульсі
80А(1441679)
Використання
3-фазні двигуни BLDC(1492838)
Електричний монтаж
пригвинчуваний(1612386)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Технологія
Trench(1712977) Field Stop(1814742)
Топологія
гальмівний переривник(1612511)
Додаткова інформація: Маса брутто: 30 g
 
Модулі IGBT APT35GT120JU3
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 425673
Модуль: IGBT; діод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 35А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 894.80 грн
2+
1 791.61 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Корпус
SOT227B
Зворотна напруга макс.
1,2кВ
Структура напівпровідника
діод/транзистор
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
35А
Струм колектора в імпульсі
80А
Використання
3-фазні двигуни BLDC
Електричний монтаж
пригвинчуваний
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
IGBT
Технологія
Trench
Технологія
Field Stop
Топологія
гальмівний переривник
Додаткова інформація: Маса брутто: 30 g