0 0 0
  8. APT36GA60BD15

Транзистори IGBT THT APT36GA60BD15

 
APT36GA60BD15
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418061
Транзистор: IGBT; PT; 600В; 36А; 290Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
753.94 грн
2+
524.72 грн
6+
495.97 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напруги колектор-емітер
600В(1440924)
Напруга затвор - емітер
±30В(1645199)
Струм колектора
36А(1478918)
Струм колектора в імпульсі
109А(1814622)
Час ввімкнення
29нс(1757696)
Час вимкнення
262нс(1814623)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
290Вт(1702088)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
102нКл(1700731)
Технологія
POWER MOS 8®(1694308) PT(1746896)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g
 
Транзистори IGBT THT APT36GA60BD15
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418061
Транзистор: IGBT; PT; 600В; 36А; 290Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
753.94 грн
2+
524.72 грн
6+
495.97 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напруги колектор-емітер
600В
Напруга затвор - емітер
±30В
Струм колектора
36А
Струм колектора в імпульсі
109А
Час ввімкнення
29нс
Час вимкнення
262нс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
290Вт
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
102нКл
Технологія
POWER MOS 8®
Технологія
PT
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g