0 0 0
  8. APT37F50B

Транзистори з каналом N THT APT37F50B

 
APT37F50B
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429577
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 24А; Idm: 115А; 520Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
765.92 грн
3+
718.79 грн
10+
702.82 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напруга сток-джерело
500В(1441382)
Струм стока
24А(1441564)
Опір в стані провідності
0,15Ом(1492413)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
520Вт(1741786)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
145нКл(1636390)
Технологія
POWER MOS 8®(1694308)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
115А(1790438)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,06 g
 
Транзистори з каналом N THT APT37F50B
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429577
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 24А; Idm: 115А; 520Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
765.92 грн
3+
718.79 грн
10+
702.82 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напруга сток-джерело
500В
Струм стока
24А
Опір в стані провідності
0,15Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
520Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
145нКл
Технологія
POWER MOS 8®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
115А
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,06 g