0 0 0
  8. APT37M100B2

Транзистори з каналом N THT APT37M100B2

 
APT37M100B2
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429578
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 23А; Idm: 140А; 1135Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 692.34 грн
2+
1 600.17 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247MAX(1823298)
Напруга сток-джерело
1кВ(1441405)
Струм стока
23А(1479277)
Опір в стані провідності
0,33Ом(1645025)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
1135Вт(1742093)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
305нКл(1479580)
Технологія
POWER MOS 8®(1694308)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
140А(1759379)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g
 
Транзистори з каналом N THT APT37M100B2
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429578
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 23А; Idm: 140А; 1135Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 692.34 грн
2+
1 600.17 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247MAX
Напруга сток-джерело
1кВ
Струм стока
23А
Опір в стані провідності
0,33Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
1135Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
305нКл
Технологія
POWER MOS 8®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
140А
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g