0 0 0
  7. APT38F50J

Транзисторні модулі MOSFET APT38F50J

 
APT38F50J
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 440466
Модуль; одиночний транзистор; 500В; 24А; ISOTOP; пригвинчуваний
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 988.54 грн
2+
1 880.34 грн
3+
1 879.57 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Корпус
ISOTOP(1440125)
Структура напівпровідника
одиночний транзистор(1612385)
Напруга сток-джерело
500В(1441382)
Струм стока
24А(1441564)
Опір в стані провідності
0,1Ом(1492330)
Потужність розсіювання
355Вт(1741882)
Поляризація
польовий(1441242)
Електричний монтаж
пригвинчуваний(1612386)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
транзисторний(1593952)
Технологія
POWER MOS 8®(1694308)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
175А(1790440)
Додаткова інформація: Маса брутто: 30 g
 
Транзисторні модулі MOSFET APT38F50J
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 440466
Модуль; одиночний транзистор; 500В; 24А; ISOTOP; пригвинчуваний
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 988.54 грн
2+
1 880.34 грн
3+
1 879.57 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Корпус
ISOTOP
Структура напівпровідника
одиночний транзистор
Напруга сток-джерело
500В
Струм стока
24А
Опір в стані провідності
0,1Ом
Потужність розсіювання
355Вт
Поляризація
польовий
Електричний монтаж
пригвинчуваний
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
транзисторний
Технологія
POWER MOS 8®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
175А
Додаткова інформація: Маса брутто: 30 g