0 0 0
  7. APT40GF120JRD

Модули IGBT APT40GF120JRD

 
APT40GF120JRD
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 425674
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 42А; SOT227B
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 974.14 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Корпус
SOT227B(1440097)
Зворотна напруга макс.
1,2кВ(1440237)
Структура напівпровідника
одиночний транзистор(1612385)
Напруга затвор - емітер
±30В(1645199)
Струм колектора
42А(1441031)
Струм колектора в імпульсі
150А(1441723)
Електричний монтаж
пригвинчуваний(1612386)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Технологія
NPT(1714552)
Додаткова інформація: Маса брутто: 30 g
 
Модули IGBT APT40GF120JRD
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 425674
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 42А; SOT227B
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 974.14 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Корпус
SOT227B
Зворотна напруга макс.
1,2кВ
Структура напівпровідника
одиночний транзистор
Напруга затвор - емітер
±30В
Струм колектора
42А
Струм колектора в імпульсі
150А
Електричний монтаж
пригвинчуваний
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
IGBT
Технологія
NPT
Додаткова інформація: Маса брутто: 30 g