0 0 0
  8. APT40GP60B2DQ2G

Транзистори IGBT THT APT40GP60B2DQ2G

 
APT40GP60B2DQ2G
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418062
Транзистор: IGBT; PT; 600В; 62А; 543Вт; T-Max
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
984.78 грн
3+
931.66 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
T-Max(1694857)
Напруги колектор-емітер
600В(1440924)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
62А(1612551)
Струм колектора в імпульсі
160А(1694411)
Час ввімкнення
49нс(1694413)
Час вимкнення
160нс(1640039)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
543Вт(1742139)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
135нКл(1632961)
Технологія
POWER MOS 7®(1694410) PT(1746896)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g
 
Транзистори IGBT THT APT40GP60B2DQ2G
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418062
Транзистор: IGBT; PT; 600В; 62А; 543Вт; T-Max
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
984.78 грн
3+
931.66 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
T-Max
Напруги колектор-емітер
600В
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
62А
Струм колектора в імпульсі
160А
Час ввімкнення
49нс
Час вимкнення
160нс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
543Вт
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
135нКл
Технологія
POWER MOS 7®
Технологія
PT
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g