Модулі IGBT APT40GP90JDQ2

 
APT40GP90JDQ2
 
Артикул: 268738
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 900В; Ic: 27А; SOT227B
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
3 514.11 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
MICROSEMI(934)
Корпус
SOT227B(1440097)
Зворотна напруга макс.
900В(1441064)
Структура напівпровідника
одиночний транзистор(1612385)
Напруга затвор - емітер
±30В(1645199)
Струм колектора
27А(1478914)
Струм колектора в імпульсі
160А(1694411)
Потужність розсіювання
284Вт(1742144)
Електричний монтаж
пригвинчуваний(1612386)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Технологія
POWER MOS 7®(1694410)
Додаткова інформація: Маса брутто: 30 g
 
Модулі IGBT APT40GP90JDQ2
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 268738
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 900В; Ic: 27А; SOT227B
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
3 514.11 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Корпус
SOT227B
Зворотна напруга макс.
900В
Структура напівпровідника
одиночний транзистор
Напруга затвор - емітер
±30В
Струм колектора
27А
Струм колектора в імпульсі
160А
Потужність розсіювання
284Вт
Електричний монтаж
пригвинчуваний
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
IGBT
Технологія
POWER MOS 7®
Додаткова інформація: Маса брутто: 30 g