0 0 0
  8. APT40GR120B2D30

Транзистори IGBT THT APT40GR120B2D30

 
APT40GR120B2D30
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418066
Транзистор: IGBT; NPT; 1,2кВ; 40А; 500Вт; T-Max
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 063.28 грн
2+
729.47 грн
4+
689.82 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
T-Max(1694857)
Напруги колектор-емітер
1,2кВ(1440895)
Напруга затвор - емітер
±30В(1645199)
Струм колектора
40А(1440987)
Струм колектора в імпульсі
160А(1694411)
Час ввімкнення
47нс(1694427)
Час вимкнення
232нс(1694428)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
500Вт(1701905)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
0,21мкКл(1951554)
Технологія
POWER MOS 8®(1694308) NPT(1714552)
Статус частини
Не рекомендується для нових проектів(1826122)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g
 
Транзистори IGBT THT APT40GR120B2D30
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418066
Транзистор: IGBT; NPT; 1,2кВ; 40А; 500Вт; T-Max
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 063.28 грн
2+
729.47 грн
4+
689.82 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
T-Max
Напруги колектор-емітер
1,2кВ
Напруга затвор - емітер
±30В
Струм колектора
40А
Струм колектора в імпульсі
160А
Час ввімкнення
47нс
Час вимкнення
232нс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
500Вт
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
0,21мкКл
Технологія
POWER MOS 8®
Технологія
NPT
Статус частини
Не рекомендується для нових проектів
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g