0 0 0
  8. APT41M80B2

Транзистори з каналом N THT APT41M80B2

 
APT41M80B2
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429586
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 27А; Idm: 150А; 1,04кВт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 322.88 грн
3+
1 250.58 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247MAX(1823298)
Напруга сток-джерело
800В(1441395)
Струм стока
27А(1441591)
Опір в стані провідності
0,21Ом(1737419)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
1,04кВт(1742092)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
260нКл(1479537)
Технологія
POWER MOS 8®(1694308)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
150А(1758586)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g
 
Транзистори з каналом N THT APT41M80B2
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429586
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 27А; Idm: 150А; 1,04кВт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 322.88 грн
3+
1 250.58 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247MAX
Напруга сток-джерело
800В
Струм стока
27А
Опір в стані провідності
0,21Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
1,04кВт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
260нКл
Технологія
POWER MOS 8®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
150А
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g