0 0 0
  8. APT43GA90BD30

Транзистори IGBT THT APT43GA90BD30

 
APT43GA90BD30
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418068
Транзистор: IGBT; PT; 900В; 43А; 337Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
866.55 грн
2+
605.38 грн
5+
572.64 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напруги колектор-емітер
900В(1440903)
Напруга затвор - емітер
±30В(1645199)
Струм колектора
43А(1738263)
Струм колектора в імпульсі
129А(1814624)
Час ввімкнення
28нс(1757663)
Час вимкнення
246нс(1814625)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
337Вт(1737072)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
116нКл(1609972)
Технологія
POWER MOS 8®(1694308) PT(1746896)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g
 
Транзистори IGBT THT APT43GA90BD30
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418068
Транзистор: IGBT; PT; 900В; 43А; 337Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
866.55 грн
2+
605.38 грн
5+
572.64 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напруги колектор-емітер
900В
Напруга затвор - емітер
±30В
Струм колектора
43А
Струм колектора в імпульсі
129А
Час ввімкнення
28нс
Час вимкнення
246нс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
337Вт
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
116нКл
Технологія
POWER MOS 8®
Технологія
PT
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g