0 0 0
  8. APT44GA60BD30

Транзистори IGBT THT APT44GA60BD30

 
APT44GA60BD30
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418070
Транзистор: IGBT; PT; 600В; 44А; 337Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
771.51 грн
2+
536.70 грн
6+
507.15 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напруги колектор-емітер
600В(1440924)
Напруга затвор - емітер
±30В(1645199)
Струм колектора
44А(1707683)
Струм колектора в імпульсі
130А(1764498)
Час ввімкнення
29нс(1757696)
Час вимкнення
208нс(1746886)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
337Вт(1737072)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
128нКл(1742999)
Технологія
POWER MOS 8®(1694308) PT(1746896)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g
 
Транзистори IGBT THT APT44GA60BD30
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418070
Транзистор: IGBT; PT; 600В; 44А; 337Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
771.51 грн
2+
536.70 грн
6+
507.15 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напруги колектор-емітер
600В
Напруга затвор - емітер
±30В
Струм колектора
44А
Струм колектора в імпульсі
130А
Час ввімкнення
29нс
Час вимкнення
208нс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
337Вт
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
128нКл
Технологія
POWER MOS 8®
Технологія
PT
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g