0 0 0
  8. APT45GP120B2DQ2G

Транзисторы IGBT THT APT45GP120B2DQ2G

 
APT45GP120B2DQ2G
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418071
Транзистор: IGBT; PT; 1,2кВ; 54А; 625Вт; T-Max
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 752.72 грн
2+
1 657.38 грн
3+
1 656.59 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 30 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
T-Max(1694857)
Напруги колектор-емітер
1,2кВ(1440895)
Напруга затвор - емітер
±30В(1645199)
Струм колектора
54А(1541494)
Струм колектора в імпульсі
170А(1750612)
Час ввімкнення
47нс(1694427)
Час вимкнення
230нс(1750827)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
625Вт(1741891)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
185нКл(1743003)
Технологія
POWER MOS 7®(1694410) PT(1746896)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,825 g
 
Транзисторы IGBT THT APT45GP120B2DQ2G
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418071
Транзистор: IGBT; PT; 1,2кВ; 54А; 625Вт; T-Max
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 752.72 грн
2+
1 657.38 грн
3+
1 656.59 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 30 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
T-Max
Напруги колектор-емітер
1,2кВ
Напруга затвор - емітер
±30В
Струм колектора
54А
Струм колектора в імпульсі
170А
Час ввімкнення
47нс
Час вимкнення
230нс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
625Вт
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
185нКл
Технологія
POWER MOS 7®
Технологія
PT
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,825 g