0 0 0
  7. APT45GP120JDQ2

Модулі IGBT APT45GP120JDQ2

 
APT45GP120JDQ2
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 352366
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 34А; SOT227B
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 993.90 грн
10+
2 891.28 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Корпус
SOT227B(1440097)
Зворотна напруга макс.
1,2кВ(1440237)
Структура напівпровідника
одиночний транзистор(1612385)
Напруга затвор - емітер
±30В(1645199)
Струм колектора
34А(1478917)
Струм колектора в імпульсі
170А(1750612)
Потужність розсіювання
329Вт(1742136)
Електричний монтаж
пригвинчуваний(1612386)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Технологія
POWER MOS 7®(1694410)
Додаткова інформація: Маса брутто: 30 g
 
Модулі IGBT APT45GP120JDQ2
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 352366
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 34А; SOT227B
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 993.90 грн
10+
2 891.28 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Корпус
SOT227B
Зворотна напруга макс.
1,2кВ
Структура напівпровідника
одиночний транзистор
Напруга затвор - емітер
±30В
Струм колектора
34А
Струм колектора в імпульсі
170А
Потужність розсіювання
329Вт
Електричний монтаж
пригвинчуваний
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
IGBT
Технологія
POWER MOS 7®
Додаткова інформація: Маса брутто: 30 g