0 0 0
  8. APT45GR65B

Транзистори IGBT THT APT45GR65B

 
APT45GR65B
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418073
Транзистор: IGBT; NPT; 650В; 56А; 543Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
523.92 грн
3+
364.99 грн
8+
345.02 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напруги колектор-емітер
650В(1478928)
Напруга затвор - емітер
±30В(1645199)
Струм колектора
56А(1500603)
Струм колектора в імпульсі
224А(1758514)
Час ввімкнення
47нс(1694427)
Час вимкнення
175нс(1640207)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
543Вт(1742139)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
150нКл(1479389)
Технологія
POWER MOS 8®(1694308) NPT(1714552)
Статус частини
Не рекомендується для нових проектів(1826122)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g
 
Транзистори IGBT THT APT45GR65B
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418073
Транзистор: IGBT; NPT; 650В; 56А; 543Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
523.92 грн
3+
364.99 грн
8+
345.02 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напруги колектор-емітер
650В
Напруга затвор - емітер
±30В
Струм колектора
56А
Струм колектора в імпульсі
224А
Час ввімкнення
47нс
Час вимкнення
175нс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
543Вт
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
150нКл
Технологія
POWER MOS 8®
Технологія
NPT
Статус частини
Не рекомендується для нових проектів
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g