Транзистори з каналом N SMD APT4F120S

 
APT4F120S
 
Артикул: 429433
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1,2кВ; 3А; Idm: 15А; 175Вт; D3PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
535.02 грн
3+
369.12 грн
8+
348.48 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D3PAK(1622346)
Напруга сток-джерело
1,2кВ(1593801)
Струм стока
(1441397)
Опір в стані провідності
4,2Ом(1617602)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
175Вт(1702078)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
43нКл(1479408)
Технологія
POWER MOS 8®(1694308)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
15А(1741672)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g
 
Транзистори з каналом N SMD APT4F120S
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429433
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1,2кВ; 3А; Idm: 15А; 175Вт; D3PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
535.02 грн
3+
369.12 грн
8+
348.48 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
SMD
Корпус
D3PAK
Напруга сток-джерело
1,2кВ
Струм стока
Опір в стані провідності
4,2Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
175Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
43нКл
Технологія
POWER MOS 8®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
15А
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g