Транзистори з каналом N THT APT5010B2FLLG

 
APT5010B2FLLG
 
Артикул: 429598
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 46А; Idm: 184А; 520Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 306.99 грн
3+
1 236.28 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247MAX(1823298)
Напруга сток-джерело
500В(1441382)
Струм стока
46А(1479360)
Опір в стані провідності
0,1Ом(1492330)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
520Вт(1741786)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
95нКл(1609950)
Технологія
POWER MOS 7®(1694410)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
184А(1812415)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g
 
Транзистори з каналом N THT APT5010B2FLLG
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429598
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 46А; Idm: 184А; 520Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 306.99 грн
3+
1 236.28 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247MAX
Напруга сток-джерело
500В
Струм стока
46А
Опір в стані провідності
0,1Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
520Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
95нКл
Технологія
POWER MOS 7®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
184А
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g