0 0 0
  8. APT5010B2VRG

Транзистори з каналом N THT APT5010B2VRG

 
APT5010B2VRG
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429600
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 500В; 47А; Idm: 188А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 400.84 грн
2+
1 325.14 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247MAX(1823298)
Напруга сток-джерело
500В(1441382)
Струм стока
47А(1479369)
Опір в стані провідності
0,1Ом(1492330)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
520Вт(1741786)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
470нКл(1694860)
Технологія
POWER MOS 5®(1823299)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
188А(1823201)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g
 
Транзистори з каналом N THT APT5010B2VRG
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429600
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 500В; 47А; Idm: 188А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 400.84 грн
2+
1 325.14 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247MAX
Напруга сток-джерело
500В
Струм стока
47А
Опір в стані провідності
0,1Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
520Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
470нКл
Технологія
POWER MOS 5®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
188А
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g