Транзистори з каналом N THT APT5015BVFRG

 
APT5015BVFRG
 
Артикул: 429607
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 500В; 32А; Idm: 128А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 003.02 грн
3+
948.31 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напруга сток-джерело
500В(1441382)
Струм стока
32А(1441566)
Опір в стані провідності
0,15Ом(1492413)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
370Вт(1741804)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
300нКл(1479621)
Технологія
POWER MOS 5®(1823299)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
128А(1823202)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g
 
Транзистори з каналом N THT APT5015BVFRG
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429607
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 500В; 32А; Idm: 128А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 003.02 грн
3+
948.31 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напруга сток-джерело
500В
Струм стока
32А
Опір в стані провідності
0,15Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
370Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
300нКл
Технологія
POWER MOS 5®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
128А
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g