0 0 0
  8. APT5016BLLG

Транзистори з каналом N THT APT5016BLLG

 
APT5016BLLG
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429610
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 30А; Idm: 120А; 329Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 212.34 грн
2+
839.68 грн
4+
793.69 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напруга сток-джерело
500В(1441382)
Струм стока
30А(1441514)
Опір в стані провідності
0,16Ом(1492490)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
329Вт(1742136)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
72нКл(1479338)
Технологія
POWER MOS 7®(1694410)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
120А(1741681)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g
 
Транзистори з каналом N THT APT5016BLLG
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429610
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 30А; Idm: 120А; 329Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 212.34 грн
2+
839.68 грн
4+
793.69 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напруга сток-джерело
500В
Струм стока
30А
Опір в стані провідності
0,16Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
329Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
72нКл
Технологія
POWER MOS 7®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
120А
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g