Транзистори з каналом N THT APT5017BVRG

 
APT5017BVRG
 
Артикул: 078002
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 30А; 370Вт; TO247
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 196.26 грн
3+
1 131.17 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247(1440138)
Напруга сток-джерело
500В(1441382)
Струм стока
30А(1441514)
Опір в стані провідності
0,17Ом(1492503)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
370Вт(1741804)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
300нКл(1479621)
Технологія
POWER MOS V®(1694811)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,06 g
 
Транзистори з каналом N THT APT5017BVRG
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 078002
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 30А; 370Вт; TO247
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 196.26 грн
3+
1 131.17 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247
Напруга сток-джерело
500В
Струм стока
30А
Опір в стані провідності
0,17Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
370Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
300нКл
Технологія
POWER MOS V®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,06 g