0 0 0
  8. APT5017SVRG

Транзистори з каналом N SMD APT5017SVRG

 
APT5017SVRG
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429436
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 500В; 30А; Idm: 120А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 019.16 грн
3+
963.38 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D3PAK(1622346)
Напруга сток-джерело
500В(1441382)
Струм стока
30А(1441514)
Опір в стані провідності
0,17Ом(1492503)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
370Вт(1741804)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
300нКл(1479621)
Технологія
POWER MOS 5®(1823299)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
120А(1741681)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g
 
Транзистори з каналом N SMD APT5017SVRG
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429436
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 500В; 30А; Idm: 120А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 019.16 грн
3+
963.38 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
SMD
Корпус
D3PAK
Напруга сток-джерело
500В
Струм стока
30А
Опір в стані провідності
0,17Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
370Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
300нКл
Технологія
POWER MOS 5®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
120А
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g