Транзистори з каналом N THT APT5028BVRG

 
APT5028BVRG
 
Артикул: 429618
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 500В; 20А; Idm: 80А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 325.27 грн
3+
1 252.97 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напруга сток-джерело
500В(1441382)
Струм стока
20А(1441300)
Опір в стані провідності
0,28Ом(1492340)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
250Вт(1701928)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
175нКл(1743775)
Технологія
POWER MOS 5®(1823299)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
80А(1758518)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g
 
Транзистори з каналом N THT APT5028BVRG
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429618
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 500В; 20А; Idm: 80А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 325.27 грн
3+
1 252.97 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напруга сток-джерело
500В
Струм стока
20А
Опір в стані провідності
0,28Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
250Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
175нКл
Технологія
POWER MOS 5®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
80А
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g