0 0 0
  7. APT50GF120JRDQ3

Модули IGBT APT50GF120JRDQ3

 
APT50GF120JRDQ3
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 425686
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 64А; SOT227B
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
6 060.83 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Корпус
SOT227B(1440097)
Зворотна напруга макс.
1,2кВ(1440237)
Структура напівпровідника
одиночний транзистор(1612385)
Напруга затвор - емітер
±30В(1645199)
Струм колектора
64А(1645198)
Струм колектора в імпульсі
225А(1694415)
Електричний монтаж
пригвинчуваний(1612386)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Технологія
FRED(1714399) NPT(1714552) Fast IGBT(1492965)
Додаткова інформація: Маса брутто: 30 g
 
Модули IGBT APT50GF120JRDQ3
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 425686
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 64А; SOT227B
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
6 060.83 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Корпус
SOT227B
Зворотна напруга макс.
1,2кВ
Структура напівпровідника
одиночний транзистор
Напруга затвор - емітер
±30В
Струм колектора
64А
Струм колектора в імпульсі
225А
Електричний монтаж
пригвинчуваний
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
IGBT
Технологія
FRED
Технологія
NPT
Технологія
Fast IGBT
Додаткова інформація: Маса брутто: 30 g