0 0 0
  8. APT50GN60BDQ3G

Транзистори IGBT THT APT50GN60BDQ3G

 
APT50GN60BDQ3G
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418078
Транзистор: IGBT; Field Stop; 600В; 64А; 366Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 139.35 грн
3+
1 094.06 грн
10+
1 063.07 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 1 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напруги колектор-емітер
600В(1440924)
Напруга затвор - емітер
±30В(1645199)
Струм колектора
64А(1645198)
Струм колектора в імпульсі
150А(1441723)
Час ввімкнення
45нс(1441640)
Час вимкнення
0,4мкс(1519242)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
366Вт(1741923)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
325нКл(1645200)
Технологія
Field Stop(1814742)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,135 g
 
Транзистори IGBT THT APT50GN60BDQ3G
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418078
Транзистор: IGBT; Field Stop; 600В; 64А; 366Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 139.35 грн
3+
1 094.06 грн
10+
1 063.07 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 1 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напруги колектор-емітер
600В
Напруга затвор - емітер
±30В
Струм колектора
64А
Струм колектора в імпульсі
150А
Час ввімкнення
45нс
Час вимкнення
0,4мкс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
366Вт
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
325нКл
Технологія
Field Stop
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,135 g