0 0 0
  8. APT50GP60B2DQ2G

Транзистори IGBT THT APT50GP60B2DQ2G

 
APT50GP60B2DQ2G
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418079
Транзистор: IGBT; PT; 600В; 72А; 625Вт; T-Max
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 083.89 грн
3+
1 024.42 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
T-Max(1694857)
Напруги колектор-емітер
600В(1440924)
Напруга затвор - емітер
±30В(1645199)
Струм колектора
72А(1500598)
Струм колектора в імпульсі
190А(1750701)
Час ввімкнення
55нс(1441635)
Час вимкнення
200нс(1441703)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
625Вт(1741891)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
165нКл(1479367)
Технологія
POWER MOS 7®(1694410) PT(1746896)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g
 
Транзистори IGBT THT APT50GP60B2DQ2G
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418079
Транзистор: IGBT; PT; 600В; 72А; 625Вт; T-Max
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 083.89 грн
3+
1 024.42 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
T-Max
Напруги колектор-емітер
600В
Напруга затвор - емітер
±30В
Струм колектора
72А
Струм колектора в імпульсі
190А
Час ввімкнення
55нс
Час вимкнення
200нс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
625Вт
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
165нКл
Технологія
POWER MOS 7®
Технологія
PT
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g