0 0 0
  7. APT50GP60JDQ2

Модулі IGBT APT50GP60JDQ2

 
APT50GP60JDQ2
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 425689
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 600В; Ic: 46А; SOT227B
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 444.11 грн
2+
2 311.55 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Корпус
SOT227B(1440097)
Зворотна напруга макс.
0,6кВ(1644524)
Структура напівпровідника
одиночний транзистор(1612385)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
46А(1750667)
Струм колектора в імпульсі
190А(1750701)
Електричний монтаж
пригвинчуваний(1612386)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Технологія
POWER MOS 7®(1694410) PT(1746896)
Додаткова інформація: Маса брутто: 30 g
 
Модулі IGBT APT50GP60JDQ2
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 425689
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 600В; Ic: 46А; SOT227B
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 444.11 грн
2+
2 311.55 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Корпус
SOT227B
Зворотна напруга макс.
0,6кВ
Структура напівпровідника
одиночний транзистор
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
46А
Струм колектора в імпульсі
190А
Електричний монтаж
пригвинчуваний
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
IGBT
Технологія
POWER MOS 7®
Технологія
PT
Додаткова інформація: Маса брутто: 30 g