0 0 0
  8. APT50GR120B2

Транзистори IGBT THT APT50GR120B2

 
APT50GR120B2
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418081
Транзистор: IGBT; NPT; 1,2кВ; 50А; 694Вт; T-Max
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 186.18 грн
2+
818.27 грн
4+
773.87 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
T-Max(1694857)
Напруги колектор-емітер
1,2кВ(1440895)
Напруга затвор - емітер
±30В(1645199)
Струм колектора
50А(1440988)
Струм колектора в імпульсі
200А(1441618)
Час ввімкнення
66нс(1702067)
Час вимкнення
324нс(1643110)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
694Вт(1742043)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
330нКл(1643343)
Технологія
POWER MOS 8®(1694308) NPT(1714552)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g
 
Транзистори IGBT THT APT50GR120B2
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418081
Транзистор: IGBT; NPT; 1,2кВ; 50А; 694Вт; T-Max
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 186.18 грн
2+
818.27 грн
4+
773.87 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
T-Max
Напруги колектор-емітер
1,2кВ
Напруга затвор - емітер
±30В
Струм колектора
50А
Струм колектора в імпульсі
200А
Час ввімкнення
66нс
Час вимкнення
324нс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
694Вт
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
330нКл
Технологія
POWER MOS 8®
Технологія
NPT
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g