0 0 0
  8. APT50GR120L

Транзистори IGBT THT APT50GR120L

 
APT50GR120L
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418082
Транзистор: IGBT; NPT; 1,2кВ; 50А; 694Вт; TO264
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 152.87 грн
2+
795.28 грн
4+
751.67 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO264(1492053)
Напруги колектор-емітер
1,2кВ(1440895)
Напруга затвор - емітер
±30В(1645199)
Струм колектора
50А(1440988)
Струм колектора в імпульсі
200А(1441618)
Час ввімкнення
66нс(1702067)
Час вимкнення
324нс(1643110)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
694Вт(1742043)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
330нКл(1643343)
Технологія
POWER MOS 8®(1694308) NPT(1714552)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g
 
Транзистори IGBT THT APT50GR120L
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418082
Транзистор: IGBT; NPT; 1,2кВ; 50А; 694Вт; TO264
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 152.87 грн
2+
795.28 грн
4+
751.67 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO264
Напруги колектор-емітер
1,2кВ
Напруга затвор - емітер
±30В
Струм колектора
50А
Струм колектора в імпульсі
200А
Час ввімкнення
66нс
Час вимкнення
324нс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
694Вт
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
330нКл
Технологія
POWER MOS 8®
Технологія
NPT
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g