0 0 0
  8. APT54GA60BD30

Транзистори IGBT THT APT54GA60BD30

 
APT54GA60BD30
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418088
Транзистор: IGBT; PT; 600В; 54А; 416Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
838.22 грн
2+
578.41 грн
5+
546.63 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напруги колектор-емітер
600В(1440924)
Напруга затвор - емітер
±30В(1645199)
Струм колектора
54А(1541494)
Струм колектора в імпульсі
161А(1814629)
Час ввімкнення
37нс(1607623)
Час вимкнення
291нс(1441615)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
416Вт(1741795)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
158нКл(1714166)
Технологія
POWER MOS 8®(1694308) PT(1746896)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g
 
Транзистори IGBT THT APT54GA60BD30
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418088
Транзистор: IGBT; PT; 600В; 54А; 416Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
838.22 грн
2+
578.41 грн
5+
546.63 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напруги колектор-емітер
600В
Напруга затвор - емітер
±30В
Струм колектора
54А
Струм колектора в імпульсі
161А
Час ввімкнення
37нс
Час вимкнення
291нс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
416Вт
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
158нКл
Технологія
POWER MOS 8®
Технологія
PT
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g