0 0 0
  8. APT56F50B2

Транзисторы с каналом N THT APT56F50B2

 
APT56F50B2
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429629
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 35А; Idm: 175А; 780Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 001.10 грн
3+
946.28 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247MAX(1823298)
Напруга сток-джерело
500В(1441382)
Струм стока
35А(1441492)
Опір в стані провідності
0,1Ом(1492330)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
780Вт(1741885)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
0,22мкКл(1950537)
Технологія
POWER MOS 8®(1694308)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
175А(1790440)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g
 
Транзисторы с каналом N THT APT56F50B2
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429629
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 35А; Idm: 175А; 780Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 001.10 грн
3+
946.28 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247MAX
Напруга сток-джерело
500В
Струм стока
35А
Опір в стані провідності
0,1Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
780Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
0,22мкКл
Технологія
POWER MOS 8®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
175А
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g