0 0 0
  7. APT58M50J

Транзисторные модули MOSFET APT58M50J

 
APT58M50J
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 440505
Модуль; одиночний транзистор; 500В; 37А; ISOTOP; пригвинчуваний
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 447.14 грн
2+
2 314.45 грн
3+
2 313.66 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Корпус
ISOTOP(1440125)
Структура напівпровідника
одиночний транзистор(1612385)
Напруга сток-джерело
500В(1441382)
Струм стока
37А(1479325)
Опір в стані провідності
65мОм(1441555)
Потужність розсіювання
540Вт(1741746)
Поляризація
польовий(1441242)
Електричний монтаж
пригвинчуваний(1612386)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
транзисторний(1593952)
Технологія
POWER MOS 8®(1694308)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
270А(1823209)
Додаткова інформація: Маса брутто: 30 g
 
Транзисторные модули MOSFET APT58M50J
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 440505
Модуль; одиночний транзистор; 500В; 37А; ISOTOP; пригвинчуваний
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 447.14 грн
2+
2 314.45 грн
3+
2 313.66 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Корпус
ISOTOP
Структура напівпровідника
одиночний транзистор
Напруга сток-джерело
500В
Струм стока
37А
Опір в стані провідності
65мОм
Потужність розсіювання
540Вт
Поляризація
польовий
Електричний монтаж
пригвинчуваний
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
транзисторний
Технологія
POWER MOS 8®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
270А
Додаткова інформація: Маса брутто: 30 g