0 0 0
  7. APT58M50JU3

Транзисторные модули MOSFET APT58M50JU3

 
APT58M50JU3
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 440508
Модуль; діод/транзистор; 500В; 43А; ISOTOP; пригвинчуваний; 543Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 326.37 грн
2+
2 199.25 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Корпус
ISOTOP(1440125)
Структура напівпровідника
діод/транзистор(1612509)
Напруга сток-джерело
500В(1441382)
Струм стока
43А(1479345)
Опір в стані провідності
65мОм(1441555)
Потужність розсіювання
543Вт(1742139)
Поляризація
польовий(1441242)
Електричний монтаж
пригвинчуваний(1612386)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
транзисторний(1593952)
Технологія
POWER MOS 8®(1694308)
Напруга затвор-джерело
Топологія
гальмівний переривник(1612511)
Струм стоку в імпульсі
270А(1823209)
Додаткова інформація: Маса брутто: 30 g
 
Транзисторные модули MOSFET APT58M50JU3
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 440508
Модуль; діод/транзистор; 500В; 43А; ISOTOP; пригвинчуваний; 543Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 326.37 грн
2+
2 199.25 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Корпус
ISOTOP
Структура напівпровідника
діод/транзистор
Напруга сток-джерело
500В
Струм стока
43А
Опір в стані провідності
65мОм
Потужність розсіювання
543Вт
Поляризація
польовий
Електричний монтаж
пригвинчуваний
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
транзисторний
Технологія
POWER MOS 8®
Топологія
гальмівний переривник
Струм стоку в імпульсі
270А
Додаткова інформація: Маса брутто: 30 g