Транзистори з каналом N THT APT6017B2FLLG

 
APT6017B2FLLG
 
Артикул: 429645
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 35А; Idm: 140А; 500Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 435.19 грн
2+
1 357.40 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247MAX(1823298)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
35А(1441492)
Опір в стані провідності
0,17Ом(1492503)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
500Вт(1701905)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
0,1мкКл(1950532)
Технологія
POWER MOS 7®(1694410)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
140А(1759379)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g
 
Транзистори з каналом N THT APT6017B2FLLG
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429645
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 35А; Idm: 140А; 500Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 435.19 грн
2+
1 357.40 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247MAX
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
35А
Опір в стані провідності
0,17Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
500Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
0,1мкКл
Технологія
POWER MOS 7®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
140А
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g