0 0 0
  8. APT6025BVRG

Транзисторы с каналом N THT APT6025BVRG

 
APT6025BVRG
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429649
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 600В; 25А; Idm: 100А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 156.83 грн
3+
1 094.06 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
25А(1441383)
Опір в стані провідності
0,25Ом(1459322)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
370Вт(1741804)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
275нКл(1634339)
Технологія
POWER MOS 5®(1823299)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
100А(1758515)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g
 
Транзисторы с каналом N THT APT6025BVRG
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429649
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 600В; 25А; Idm: 100А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 156.83 грн
3+
1 094.06 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
25А
Опір в стані провідності
0,25Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
370Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
275нКл
Технологія
POWER MOS 5®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
100А
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g