0 0 0
  7. APT60GA60JD60

Модули IGBT APT60GA60JD60

 
APT60GA60JD60
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 425694
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 600В; Ic: 60А; SOT227B
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 419.29 грн
2+
2 287.86 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Корпус
SOT227B(1440097)
Зворотна напруга макс.
0,6кВ(1644524)
Структура напівпровідника
одиночний транзистор(1612385)
Напруга затвор - емітер
±30В(1645199)
Струм колектора
60А(1441121)
Струм колектора в імпульсі
178А(1818749)
Використання
для UPS(1471489)
Електричний монтаж
пригвинчуваний(1612386)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Технологія
POWER MOS 8®(1694308) PT(1746896)
Додаткова інформація: Маса брутто: 30 g
 
Модули IGBT APT60GA60JD60
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 425694
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 600В; Ic: 60А; SOT227B
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 419.29 грн
2+
2 287.86 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Корпус
SOT227B
Зворотна напруга макс.
0,6кВ
Структура напівпровідника
одиночний транзистор
Напруга затвор - емітер
±30В
Струм колектора
60А
Струм колектора в імпульсі
178А
Використання
для UPS
Електричний монтаж
пригвинчуваний
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
IGBT
Технологія
POWER MOS 8®
Технологія
PT
Додаткова інформація: Маса брутто: 30 g