0 0 0
  8. APT64GA90B2D30

Транзистори IGBT THT APT64GA90B2D30

 
APT64GA90B2D30
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418090
Транзистор: IGBT; PT; 900В; 64А; 500Вт; T-Max
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 327.53 грн
2+
919.55 грн
3+
869.35 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
T-Max(1694857)
Напруги колектор-емітер
900В(1440903)
Напруга затвор - емітер
±30В(1645199)
Струм колектора
64А(1645198)
Струм колектора в імпульсі
193А(1814630)
Час ввімкнення
44нс(1441614)
Час вимкнення
352нс(1814631)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
500Вт(1701905)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
162нКл(1750609)
Технологія
POWER MOS 8®(1694308) PT(1746896)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g
 
Транзистори IGBT THT APT64GA90B2D30
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418090
Транзистор: IGBT; PT; 900В; 64А; 500Вт; T-Max
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 327.53 грн
2+
919.55 грн
3+
869.35 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
T-Max
Напруги колектор-емітер
900В
Напруга затвор - емітер
±30В
Струм колектора
64А
Струм колектора в імпульсі
193А
Час ввімкнення
44нс
Час вимкнення
352нс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
500Вт
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
162нКл
Технологія
POWER MOS 8®
Технологія
PT
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g