0 0 0
  8. APT65GP60B2G

Транзистори IGBT THT APT65GP60B2G

 
APT65GP60B2G
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418092
Транзистор: IGBT; PT; 600В; 96А; 833Вт; T-Max
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 366.58 грн
2+
1 291.67 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
T-Max(1694857)
Напруги колектор-емітер
600В(1440924)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
96А(1478936)
Струм колектора в імпульсі
250А(1621601)
Час ввімкнення
84нс(1751681)
Час вимкнення
219нс(1814632)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
833Вт(1741843)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
0,21мкКл(1951554)
Технологія
POWER MOS 7®(1694410) PT(1746896)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g
 
Транзистори IGBT THT APT65GP60B2G
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418092
Транзистор: IGBT; PT; 600В; 96А; 833Вт; T-Max
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 366.58 грн
2+
1 291.67 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
T-Max
Напруги колектор-емітер
600В
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
96А
Струм колектора в імпульсі
250А
Час ввімкнення
84нс
Час вимкнення
219нс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
833Вт
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
0,21мкКл
Технологія
POWER MOS 7®
Технологія
PT
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g