0 0 0
  8. APT65GP60L2DQ2G

Транзистори IGBT THT APT65GP60L2DQ2G

 
APT65GP60L2DQ2G
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418093
Транзистор: IGBT; PT; 600В; 96А; 833Вт; TO264MAX
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 829.54 грн
2+
1 729.94 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO264MAX(1492376)
Напруги колектор-емітер
600В(1440924)
Напруга затвор - емітер
±30В(1645199)
Струм колектора
96А(1478936)
Струм колектора в імпульсі
250А(1621601)
Час ввімкнення
85нс(1492963)
Час вимкнення
0,22мкс(1747764)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
833Вт(1741843)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
0,21мкКл(1951554)
Технологія
POWER MOS 7®(1694410) PT(1746896)
Додаткова інформація: Маса брутто: 10,24 g
 
Транзистори IGBT THT APT65GP60L2DQ2G
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418093
Транзистор: IGBT; PT; 600В; 96А; 833Вт; TO264MAX
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 829.54 грн
2+
1 729.94 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO264MAX
Напруги колектор-емітер
600В
Напруга затвор - емітер
±30В
Струм колектора
96А
Струм колектора в імпульсі
250А
Час ввімкнення
85нс
Час вимкнення
0,22мкс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
833Вт
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
0,21мкКл
Технологія
POWER MOS 7®
Технологія
PT
Додаткова інформація: Маса брутто: 10,24 g