0 0 0
  8. APT68GA60B2D40

Транзистори IGBT THT APT68GA60B2D40

 
APT68GA60B2D40
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418095
Транзистор: IGBT; PT; 600В; 68А; 520Вт; T-Max
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 244.66 грн
2+
853.41 грн
4+
807.20 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
T-Max(1694857)
Напруги колектор-емітер
600В(1440924)
Напруга затвор - емітер
±30В(1645199)
Струм колектора
68А(1750818)
Струм колектора в імпульсі
202А(1814633)
Час ввімкнення
46нс(1441691)
Час вимкнення
304нс(1814634)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
520Вт(1741786)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
198нКл(1742962)
Технологія
POWER MOS 8®(1694308) PT(1746896)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g
 
Транзистори IGBT THT APT68GA60B2D40
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418095
Транзистор: IGBT; PT; 600В; 68А; 520Вт; T-Max
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 244.66 грн
2+
853.41 грн
4+
807.20 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
T-Max
Напруги колектор-емітер
600В
Напруга затвор - емітер
±30В
Струм колектора
68А
Струм колектора в імпульсі
202А
Час ввімкнення
46нс
Час вимкнення
304нс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
520Вт
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
198нКл
Технологія
POWER MOS 8®
Технологія
PT
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g