0 0 0
  7. APT70GR120J

Модули IGBT APT70GR120J

 
APT70GR120J
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 425699
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 70А; SOT227B
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 235.92 грн
2+
2 114.72 грн
3+
2 113.93 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Корпус
SOT227B(1440097)
Зворотна напруга макс.
1,2кВ(1440237)
Структура напівпровідника
одиночний транзистор(1612385)
Напруга затвор - емітер
±30В(1645199)
Струм колектора
70А(1441697)
Струм колектора в імпульсі
280А(1621605)
Електричний монтаж
пригвинчуваний(1612386)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Технологія
POWER MOS 8®(1694308) Ultra Fast NPT-IGBT®(1694426) NPT(1714552)
Додаткова інформація: Маса брутто: 30 g
 
Модули IGBT APT70GR120J
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 425699
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 70А; SOT227B
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 235.92 грн
2+
2 114.72 грн
3+
2 113.93 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Корпус
SOT227B
Зворотна напруга макс.
1,2кВ
Структура напівпровідника
одиночний транзистор
Напруга затвор - емітер
±30В
Струм колектора
70А
Струм колектора в імпульсі
280А
Електричний монтаж
пригвинчуваний
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
IGBT
Технологія
POWER MOS 8®
Технологія
Ultra Fast NPT-IGBT®
Технологія
NPT
Додаткова інформація: Маса брутто: 30 g