0 0 0
  8. APT75GN60SDQ2G

Транзистори IGBT SMD APT75GN60SDQ2G

 
APT75GN60SDQ2G
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418021
Транзистор: IGBT; Field Stop; 600В; 93А; 536Вт; D3PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 164.77 грн
2+
802.41 грн
4+
758.80 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D3PAK(1622346)
Напруги колектор-емітер
600В(1440924)
Напруга затвор - емітер
±30В(1645199)
Струм колектора
93А(1612538)
Струм колектора в імпульсі
225А(1694415)
Час ввімкнення
95нс(1492930)
Час вимкнення
485нс(1694417)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
536Вт(1741828)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
485нКл(1694416)
Технологія
Field Stop(1814742)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g
 
Транзистори IGBT SMD APT75GN60SDQ2G
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418021
Транзистор: IGBT; Field Stop; 600В; 93А; 536Вт; D3PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 164.77 грн
2+
802.41 грн
4+
758.80 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
SMD
Корпус
D3PAK
Напруги колектор-емітер
600В
Напруга затвор - емітер
±30В
Струм колектора
93А
Струм колектора в імпульсі
225А
Час ввімкнення
95нс
Час вимкнення
485нс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
536Вт
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
485нКл
Технологія
Field Stop
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g