0 0 0
  7. APT75GT120JRDQ3

Модулі IGBT APT75GT120JRDQ3

 
APT75GT120JRDQ3
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 425703
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 57А; SOT227B
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
3 322.85 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Корпус
SOT227B(1440097)
Зворотна напруга макс.
1,2кВ(1440237)
Структура напівпровідника
одиночний транзистор(1612385)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
57А(1478926)
Струм колектора в імпульсі
300А(1441736)
Електричний монтаж
пригвинчуваний(1612386)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Технологія
POWER MOS 7®(1694410) NPT(1714552)
Додаткова інформація: Маса брутто: 30 g
 
Модулі IGBT APT75GT120JRDQ3
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 425703
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 57А; SOT227B
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
3 322.85 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Корпус
SOT227B
Зворотна напруга макс.
1,2кВ
Структура напівпровідника
одиночний транзистор
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
57А
Струм колектора в імпульсі
300А
Електричний монтаж
пригвинчуваний
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
IGBT
Технологія
POWER MOS 7®
Технологія
NPT
Додаткова інформація: Маса брутто: 30 g