0 0 0
  8. APT75M50B2

Транзистори з каналом N THT APT75M50B2

 
APT75M50B2
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429667
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 47А; Idm: 230А; 1,04кВт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 376.45 грн
2+
951.77 грн
3+
900.17 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247MAX(1823298)
Напруга сток-джерело
500В(1441382)
Струм стока
47А(1479369)
Опір в стані провідності
75мОм(1479133)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
1,04кВт(1742092)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
290нКл(1757699)
Технологія
POWER MOS 8®(1694308)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
230А(1789206)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g
 
Транзистори з каналом N THT APT75M50B2
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429667
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 47А; Idm: 230А; 1,04кВт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 376.45 грн
2+
951.77 грн
3+
900.17 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247MAX
Напруга сток-джерело
500В
Струм стока
47А
Опір в стані провідності
75мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
1,04кВт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
290нКл
Технологія
POWER MOS 8®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
230А
Додаткова інформація: Маса брутто: 6 g